Описание
В книге представлено обобщение накопленного опыта по созданию методов входного и технологического контроля при разработке и производстве СВЧ транзисторов на основе широкозонных материалов, в частности, транзисторов на гетероструктурах типа AIGaN/GaN. Рассмотрены системы отечественных и зарубежных стандартов, на основе которых проводятся разработки СВЧ транзисторов. Подробно описаны физические основы гетероструктур, описаны свойства широкозонных полупроводников, методы изготовления СВЧ транзисторов. Детально анализируется технология производства транзисторов с учетом имеющегося опыта их реального изготовления. Рассмотрены электрические, оптические, рентгеновские, электронно-микроскопические и аналитические методы, которые применяются при входном и технологическом методах контроля. Рассмотрен опыт создания в ОАО "НПП «Пульсар" СВЧ транзисторов и СВЧ блоков на их основе.
Книга будет полезна специалистам в области электроники, исследователям, инженерам-практикам и разработчикам радиоэлектронной аппаратуры.
Характеристики
Автор(ы) | В. В. Груздов, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой |
Издательство | Техносфера |
Год выпуска | 2016 |
ISBN | 978-5-94836-426-1 |
Кол-во страниц | 328 |
Формат страниц | 60x90/16 (145x215 мм) |
Язык | Русский |
Переплёт | Твердый |
Доп. сведения | Офсетная бумага |
Тираж | 300 экз. |
Вес | 520 г |