СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках

Артикул: 13448
Основной склад: Осталась 1 штука
455 182

Описание

Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов.

Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 "Электроника и наноэлектроника". Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.

Характеристики

Автор(ы)А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой
ИздательствоТехносфера
Вид изданияУчебное пособие для вузов, Гриф УМО вузов России
Год выпуска2011
ISBN978-5-94836-290-8
Кол-во страниц256
Формат страниц60x90/16 (145x215 мм)
ЯзыкРусский
ПереплётТвердый
Тираж1000 экз.
Вес370 г

Отзывы посетителей(0)

Наверх